碳化硅激光剥离设备
产品概述
本设备通过紫外/超快脉冲激光精准聚焦于SiC晶锭内部，利用光热/光化学效应实现晶圆与晶锭的低应力、高效率分离。完全替代传统机械线切割工艺，无机械应力、低热影响、高良率，是第三代半导体功率器件降低衬底成本、提升出片率的核心装备。
核心技术指标
| 项目 | 参数/规格 |
|---|---|
| 适用尺寸 | 4英寸、6英寸、8英寸、12英寸、14英寸 |
| 剥离损耗（单片总损耗） | 40 - 80 μm |
| 热影响区 | < 5 - 10 μm |
| 单片加工时间 | 20 - 35 分钟 |
| 最薄切片厚度 | 80 μm |
| 工艺良率 | ≥ 99.9% |
| 自动化程度 | 全自动上下料，支持工业4.0对接 |
以上参数区间覆盖从理想工艺到稳定量产的真实水平，反映大批量连续生产下的设备稳定性与工艺适配能力。
核心技术
- 自主研发CPPW可编程脉宽激光技术
- SiC界面精准能量匹配与剥离阈值控制
- 晶锭/晶圆全域剥离均匀性调控技术
- 隐形切割内部改质与无损划片工艺
- 实现从激光改质、自动切片到工艺参数管理的全流程自动化
核心优势
- 超低损耗：单片总材料损耗低至40~80μm，晶圆利用率显著提升，出片率远超传统线切
- 超薄切片：最薄切片厚度可达80μm，助力客户从每锭中获取更多晶圆
- 极小热影响：热影响区＜5~10μm，无残胶、无热损伤，保证晶圆品质
- 高良率：工艺良率≥99.9%，非接触式加工，无机械应力损伤
- 高材料利用率：显著降低SiC晶锭加工成本，为客户创造更大价值
- 全自动智能工艺管理：提高量产一致性，降低对操作人员经验的依赖
- 单机平台设计：维护成本低，占地面积小（L1485×W1950×H1920 mm），易于部署
应用领域
- SiC晶锭激光剥离
- SiC晶圆隐形切割
- 第三代半导体功率器件制造
- 先进封装解键合
- 碳化硅衬底再利用
高一致性精密切片
- 突破多线切割工艺材料损耗大、效率低、耗材成本高等技术瓶颈
- 通过超快激光诱导反应与定向裂片技术确保切片质量
- 大幅降低材料损耗，提高晶锭利用率和生产效率，显著降低晶圆制造成本
支持多尺寸加工
- 可兼容4英寸、6英寸、8英寸、12英寸及14英寸碳化硅晶锭加工
- 12英寸平台2025年6月已完成产业化开发，14英寸设备已试制成功
自主智能系统
- 自主研发的CPPW可编程脉宽激光系统
- 高精度运动控制平台
- 智能工艺数据库
- 实现从激光改质、自动切片到工艺参数管理的全流程自动化
- 具备稳定性高、重复精度高、维护成本低等优势
粤公网安备44030002014099号